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本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
中国白光led器件领军者鸿利光电近日展出了多款led封装新品。在新品发布会，为客户朋友带来了一个全新的产品技术盛宴。
https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121867.htm2013/3/6 16:55:54
纳米级硅晶体具有发光潜能，德国kit和多伦多大学的科学家成功地采用这些晶体生产出硅基led(sileds)。
https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121868.htm2013/3/6 16:16:32
制出国产mocvd样机。基于氧化锌外延透明电极结构的新型高效大功率led芯片、氮化镓同质外延技术等一批自主知识产权技术填补广东产业空白。2011年，全省芯片、外延片等上游环节总产值
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/6/310420.html2013/3/6 9:58:21
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光gan基led。
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29
https://www.alighting.cn/news/20130305/99296.htm2013/3/5 10:49:31
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
