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境温度的总热阻在300到600℃／w之间，对于一个具有良好结构的功率型led元件，其总热阻约为15到30℃／w。巨大的热阻差异表明普通型led元件只能在很小的输入功率条件下，才能正
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274790.html2012/5/16 21:31:57
益严苛的热管理考验。為降低led热阻，其散热必须由晶片层级(chip level)、封装层级(package level)、散热基板层级(board level)到系统层
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
2012年下半年晶台光电推出mlcob系列。该系列基于高亮度、高光效及高性价比照明光源的晶台光电第三代cob封装技术研发而成，能够有效提高光效，降低热阻，从而显着延长led照
https://www.alighting.cn/pingce/20121206/122052.htm2012/12/6 10:59:10
求;高散热，热阻(rth j-s)约20℃/w;3.低光衰，目前正在进行ies lm-80测试 ,测得ts=85℃ 3000h光衰2
https://www.alighting.cn/pingce/20120921/122301.htm2012/9/21 18:18:22
发布的高亮度led的结/环境热阻只有480k/w，功率耗散高达130mw，从而使驱动电流高达50ma。器件的小尺寸和高达1400mcd的发光强度使其成为车内仪表盘背光照明和车外重
https://www.alighting.cn/pingce/20111027/122881.htm2011/10/27 9:22:01
经成熟，在灯具标准中，也有明确的考核要求，但对于led光源灯具标准中却缺乏结温、热阻等影响性能指标的测量和限制的相关要
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/7/174219_95.htm2011/3/7 17:42:19
高效散热封装材料的合理选择和有效使用是提高大功率led(发光二极管)封装可靠性的重要环节。在分析封装系统热阻对led性能的影响及对传统散热封装材料性能进行比较的基础上,阐述了金属
https://www.alighting.cn/2012/9/21 16:57:04
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
晶科电子(广州)有限公司将于9月6日下午在深圳举办“e时代 星精彩”易系列产品发布会，展示其最新研发出易系列陶瓷基无金线光源产品-易系列，针对传统led封装导致led产品出现热
https://www.alighting.cn/news/201191/n126634222.htm2011/9/1 9:56:16
下的最大发光强度达到4900mcd，其高发光强度led的结/环境的热阻低至325k/w，功率耗散高达200mw，器件的小尺寸和高发光强度使其非常适合汽车照明应
https://www.alighting.cn/news/20141014/n845566369.htm2014/10/14 10:59:27
