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近期，acelite采用台湾超光亮led芯片，推出led水下灯。该产品外形采用不锈钢设计，以及高强化玻璃盖，以防止水进入到该产品中，以确保该产品具有较高的防护等级（ip degre
https://www.alighting.cn/news/20090417/94232.htm2009/4/17 0:00:00
合邦(6103) 16日发布新闻指出，随着高功率led的技术逐渐成熟，强调环保节能的趋势下，led将陆续取代低效率、高耗能的传统发光源，该公司表示，已布建全球第一条led硅基板全自
https://www.alighting.cn/news/20071119/117172.htm2007/11/19 0:00:00
晶科电子致力于开发和生产用于半导体照明的高亮度、高可靠性的大功率氮化镓蓝光led芯片和多芯片模组产品，目前拥有月产3kk大功率芯片的产能，成为珠三角唯一一家大功率、高亮度、高稳定
https://www.alighting.cn/special/20110325/2011/5/3 15:11:28
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的gan(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长gan单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
gan(氮化镓)系蓝紫色发光组件可应用于新世代dvd，因此备受相关业者高度期待，此外利用led高辉度、省能源的发光特性，蓝紫色发光组件未来还可取代传统的白炙灯、荧光灯，成为白光
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12782.htm2007/9/12 14:13:45
led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (ingan) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(ingan)激光器所保持的50
https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23
伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(gan)上整合led和功率电晶体。研
https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、gan)衬底，封测
https://www.alighting.cn/news/20141021/n168566551.htm2014/10/21 9:55:55
