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发光二极管(light emitting diode，led)发明于20世纪60年代，它是利用半导体材料中的电子和空穴相互结合并释放出能量，使得能量带(energy gat，)位
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
用新的极薄型llga微封装技术(2×2×0.55mm)来支持超薄应用。此外，部分改进的led材料与设计拥有更低的正向电压(由3.6v降低到3.1v)，因此对电感解决方案来说，相同的功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
洞在没有发光就被撷取了，在二者接合（再接合）时的能量，就会变成热释放出来，所以 GaN、inGaN从基本上来说，几乎不可能作为发光组件的材料。实际上，虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
要将led焊接到pcb板上。 f)切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试：检
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对GaN基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 GaN基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
-353x(2006)02-0098-041 引言 GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
不说明了ⅲ－ⅴ族元素所蕴藏的潜能，表１－１为目前商品化ｌｅｄ之材料及其外延技术，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
其白炽灯的响应时间为毫秒级，led灯的响应时间为纳秒级。 6）对环境污染：无有害金属汞。 7）颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134110.html2011/2/20 22:49:00
确的做法是尽量多并联些回路，以保证电压和电流的分配合理。另外，字腔内部如需使用防腐材料，最好是用白色底漆，以增加其反光系数。 led在超薄标牌中的应用超薄发光标牌是在为提高商家场
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00
