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led生产工艺及封装技术

一、生产工艺 1.工艺: A) 清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b) 装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00

大功率led封装以及散热技术

型gAn:mg淀积厚度大于500A的niAu层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

内置电源led日光灯的缺点和问题

从普通荧光灯的镇流器结构说起: (b)电子镇流器 图3. 荧光灯电源电路图 我们知道,最普通的荧光灯的起辉是采用一个串联的铁芯电感和一个并联的起辉器(图3A)。对于这种电

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114856.html2010/11/18 0:25:00

led生产工艺及封装技术

一、生产工艺 1.工艺: A) 清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b) 装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115017.html2010/11/18 16:05:00

大功率led封装以及散热技术

型gAn:mg淀积厚度大于500A的niAu层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

型gAn:mg淀积厚度大于500A的niAu层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

休闲服装公司zArA战略分析

海,2007年4月12日h&Amp;m登陆上海,2007年4月23日c&Amp; A登陆上海。以上是享有“世界四大捕手”之称的世界知名品牌,其竞争优势可见一般。 1.品牌特

  http://blog.alighting.cn/lux1923/archive/2010/12/7/118683.html2010/12/7 11:06:00

led照明设计需要注意的细节

穿,led光源也因此被烧毁。   2. 驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A,作为照明用的led光源,1w功率的led光源其标称工作电流为350mA,3w功率的led光源

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/12/8/118986.html2010/12/8 13:42:00

led照明设计基础(四)之驱动设计篇

0 照明工程师社区hr z-_/y6p图1 pulse width modulAtion (pwm)照明工程师社区8A;okk)}vr 在运用pwm的驱动电路中,可

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119305.html2010/12/9 14:13:00

应用实例:实现led照明应用的无闪烁调光

至击穿阈值。diAc然后导通triAc,重新开始下一开关周期。结果是在同一输入线路周期内多次重启动可控硅(图4)。e4A yr\3}d0 照明工程师社区w:v0

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119307.html2010/12/9 14:14:00

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