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垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬和不剥离生长衬 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬和不剥离生长衬 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬和不剥离生长衬 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬和不剥离生长衬 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

2010年德国胡苏姆太阳能展/光伏展/风能展/新能源展

国组团:中展寰商务咨询(北京)有限公司 展览会简介:2010年德国胡苏姆国际能源展是欧洲小型风电设备行业最大的展览会,覆盖整个可再生能源领域。她也是混合型设备(例如小型风电和太

  http://blog.alighting.cn/tengyunfei/archive/2009/10/13/6949.html2009/10/13 9:54:00

2010第四届俄罗斯国际热处理展

展会时间:2010年9月21日至23日 展览地点:俄罗斯莫斯科 展会周期:一年一届 展会主办方:mir-expo 招展单位:中展寰商务咨询(北京)有限公司010

  http://blog.alighting.cn/cec005/archive/2010/4/15/40308.html2010/4/15 14:09:00

2010国际金属冶金产品展

艺,切割工具,切割工艺,金属线材,管材,环境保护,各种其他工具。 中展寰商务咨询(北京)有限公司 cec business consulting (beijing)co

  http://blog.alighting.cn/cec005/archive/2010/4/15/40313.html2010/4/15 14:34:00

首尔与威宝共同推出新led芯片技术的卤素替代灯

npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(gan)衬用于氮化镓的外延生长,从而取代蓝宝石或碳化硅衬。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20

发展led产业链 长治光电园聚创新人才

据悉,随着“蓝宝石衬材料-外延-芯片-封装-电视背光”一条完整led产业链的贯通,在长治光电产业园内,实现了我国蓝宝石衬材料生产和封装的完全自主知识产权,并一跃成为领航光电产

  https://www.alighting.cn/news/201388/n248454780.htm2013/8/8 15:26:59

led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

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