站内搜索
样的方法在蓝光gaN-led上迭放一层aliNgap半 导体复合物,也生成了白光。led晶圆制程衬底结构设计缓冲层生长N型gaN层生长多量子阱发光层生长p型gaN层生长退火检测(光荧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(al)、钙(ca) 、??(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
1 led 驱动半导体发光二极管的特点 发光二极管和普通二极管一样是一种用半导体材料制作的p / N 结器件,除了能发光之外,其他特性和普通二极管相似。发光二极管主要有两个特
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00
后,再加上增加晶片面积就绝对可以一口气提?N亮度,因为当光从晶片内部向外散射时,晶片中这些改善的部分无法进行反射,所以在取光上会受到一点限制,根据计算,最佳发挥光效率的led晶片尺
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229885.html2011/7/17 22:55:00
础上改进的pfm/pwm控制技术,是pfm与pwm有机结合的控制方式(不是pfm与pwm的切换),是以输入电压确定N开关管开启时间,输出电压与输入电压差确定同步管开启时间,而不像pw
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229870.html2011/7/17 22:49:00
c1b: 100μf/6.3v l1: 1.0μh, isat 1.2a d1: mbrs140 or 1N5817 rs: 1.3 c2a: 470Nf c2b
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229868.html2011/7/17 22:48:00
时,最好使用电阻来减少连接数量并降低复杂度。电荷泵的主要缺点在于其效率。开关和电容器的数量决定了电荷泵的乘数N。此比例通常为1.5 或2。下列简单的方程给出了理想效率的算法： 实
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229865.html2011/7/17 22:47:00
概述led电源 控制器 是led照明 应用的关键器件之一。marvell公司的88em8080/81器件是一个带功率 因素校正(pfc)的反激型高性能led电源控制器。本文结合先
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229862.html2011/7/17 22:45:00
地连接。 工作原理简介 max16800的内部结构框图如图2所示。它由差动电流检测放大器(外部接电流检测电阻rseNse)、误差放大器、mosfet驱动器、调整管(N沟道功
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229863.html2011/7/17 22:45:00
