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张国义与半导体照明产业间的缘分还得从一种神奇的物质“氮化镓”材料说起。氮化镓单晶体，人们目前为止还没有发现有天然GaN晶体材料存在，它必须在实验室才能获得，作为一种直接带隙材料，
https://www.alighting.cn/news/20111123/85634.htm2011/11/23 14:17:08
出货量下降的原因可以归结为氮化镓基led的应用市场疲软、led芯片供大于求、信贷紧缩以及中国补贴政策的取消等方面。而令人振奋的是，用于硅衬底GaN基led外延片制备的mocvd设
https://www.alighting.cn/news/20111123/114479.htm2011/11/23 13:46:03
保的 路灯对城市照明节能具有十分重要的意义。led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功 率led路灯的光源采用低压直流供电 由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高 效白光le
http://blog.alighting.cn/niolighting/archive/2011/11/22/255027.html2011/11/22 11:01:52
https://www.alighting.cn/2011/11/21 14:47:47
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
报道指出，三菱化学目前已着手于水岛事业所内导入大型长晶设备，并在确保拥有月产1,000万片(以2寸基板换算)的产能之后，将追加导入大型长晶设备正式进行量产，之后并计划于2015年度
https://www.alighting.cn/news/20111121/114216.htm2011/11/21 9:08:51
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。
https://www.alighting.cn/news/20111117/n550635801.htm2011/11/17 10:35:44
当然GaN与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
led技术再次取得革命性的突破，中大物理系教授研发出新技术可令led光亮4倍，并减少生产成本。
https://www.alighting.cn/pingce/20111114/122667.htm2011/11/14 13:18:39
按照led上游材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。而硅衬底上GaN基led专利技术为我国拥
https://www.alighting.cn/news/20111114/n580235699.htm2011/11/14 9:49:03
