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大功率发光二极管寿命试验及失效分析

果表明,大功率led 的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机

  https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00

我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

具有发光奈米粒子之发光二极管

技术描述:奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state),因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中,或

  https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00

国产芯片销售首次突破35亿元

led国产芯片销售首次突破35亿元。

  https://www.alighting.cn/news/20060412/91067.htm2006/4/12 0:00:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。

  https://www.alighting.cn/resource/20060314/128926.htm2006/3/14 0:00:00

固态照明光源:白光led的现状和未来 ——

芯片研究的进展结果: 1、基于蓝宝石衬底的蓝、绿、紫及紫外led目前所获得的最佳性能是在采取侧向生长等技术的基础上取得的,目的在于减小位错密度,蓝、紫器件的外量子效率约40%,而

  https://www.alighting.cn/news/20060222/91872.htm2006/2/22 0:00:00

浅析led焊接技术及步骤

护 静电和电流的急剧升高将会对led产生损害,InGaN系列产品使用时请使用防静电装置,如防护带和手

  https://www.alighting.cn/resource/20050803/128882.htm2005/8/3 0:00:00

中国科大成果入选2004国际物理学十大进展

美国物理学会评选的2004年度国际物理学十大进展日前揭晓,中国科技大学潘建伟教授研究组的论文“五光子纠缠和终端开放的量子态隐形传输”榜上有名,这是美国物理学会首次将中国科学家在国

  https://www.alighting.cn/news/20041210/103568.htm2004/12/10 0:00:00

上海技物所六个项目获国家支持

上海技术物理研究所的六个科研项目获得国家支持。

  https://www.alighting.cn/news/20041015/102820.htm2004/10/15 0:00:00

量子点和gan成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, gan基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

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