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型指示灯或非全彩的字符显示器件应用。1.2 led的简明原理完全纯净的半导体称为本征半导体。如果在本征半导体分别扩散不同的杂质，就会各自形成p型半导体和N型半导体。此时将会在p型半
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57
安特征，即正导游通、反向停止、击穿特征。当p型半导体和N型半导体分离时，因为接壤面处存在的载流子浓度差。于是电子和空穴都市从高浓度地区向低浓度地区分散。如许，p区一侧得到空穴剩下不
http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/12/22/259887.html2011/12/22 10:24:11
动需要提供恒流电源，以保证大功率led使用的安全性，同时达到理想的发光强度。t220c350w系列产品，提供的是一个脉冲的恒电流电源，其电流脉冲的频率和占空比可以调整，该驱动器提供恒
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258866.html2011/12/20 15:57:45
子发射产生可见光。 （一）led的发展历史应用半导体p·N结发光源原理制成led问世于20世纪60年代初，1964年首先出现红色发光二极管，之后出现黄色led。直到1994年蓝色
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41
般为40 ma 或350 ma 不等.具体要按各封装厂提供的电流参数值. 一般led在反向电压:vr=5v的条件下,反向电流:ir≤10μa. (3)led的功
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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258655.html2011/12/19 11:11:16
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56
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型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
致)(2)led的额定工作电流led的额定电流各不相同,普通的led电流一般为20ma,大功率的led电流一般为40 ma 或350 ma不等.具体要按各封装厂提供的电流参数值.一
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