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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和Sic,Si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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量的晶格缺陷,从而进一步提高gan晶圆层的晶体质量。首先在合适的衬底 上( 6h-Sic或Si)采用两步制程生长gan晶圆层。然后对晶圆膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形
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衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如gan、Si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可大大提高外延膜的晶
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本薄型导光板的生产制造技术相继被发表出来,而最初作为实现此目标的零组件,就是液晶荧幕、面板等背光源所使用的导光板技术(Light guide)。一般来说,背光源所使用的导光板是利用内
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ed是Light emitting diode发光二极管的简称。此种组件,无论是信息产品,通讯用品还是消费性家电制品,广泛普遍用于各种电子回路中,通常用来做为“显示状态”的用
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Light emitting diodes, commonly called leds, are real unsung heroes in the electronic
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线Light emitting diode。主要以gaas系列材料发展为主,通常以lpe液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。gap磷化镓。磷化镓,是ⅲ-ⅴ族(三五族)元
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p, controlling in this way the Light intenSity of leds. the stp24dp05 guarantees a 20 v outpu
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229867.html2011/7/17 22:48:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(Si)、碳化硅(Sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
apparently, it's time to ban edison's venerable, now vilified, Light bulb. europea
http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/7/15/229770.html2011/7/15 17:17:00
