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本底杂质浓度进一步降低(一般达到1015cm-3)。由远红外光电导和光致发光研究表明,主要残留杂质是Si、 ge、c和zn。(4)、n型p型外延层用的掺杂源的控制气体源：h2s、h
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底用于氮化镓led的商业化生产。它有许多突出的优点,如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等,但不足方面也很突出,如价格太高、晶体质量难以达到al2o3和Si那么好、机
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质分别为tmga、tega、tmin、tmal、ph3与ash3。通过掺Si或掺 te以及掺mg或掺zn生长n型与p型薄膜材料。对于ingaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和Sic,Si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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量的晶格缺陷,从而进一步提高gan晶圆层的晶体质量。首先在合适的衬底 上( 6h-Sic或Si)采用两步制程生长gan晶圆层。然后对晶圆膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如gan、Si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可大大提高外延膜的晶
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本薄型导光板的生产制造技术相继被发表出来,而最初作为实现此目标的零组件,就是液晶荧幕、面板等背光源所使用的导光板技术(Light guide)。一般来说,背光源所使用的导光板是利用内
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ed是Light emitting diode发光二极管的简称。此种组件,无论是信息产品,通讯用品还是消费性家电制品,广泛普遍用于各种电子回路中,通常用来做为“显示状态”的用
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Light emitting diodes, commonly called leds, are real unsung heroes in the electronic
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线Light emitting diode。主要以gaas系列材料发展为主,通常以lpe液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。gap磷化镓。磷化镓,是ⅲ-ⅴ族(三五族)元
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