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美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
英国威格斯公司(victrexplc)推出的victrexpeek正被广泛认同为晶圆传输与储存应用的首选材料，尤其是前开式晶圆盒(foup)与晶圆转运箱。victrexpeek聚
https://www.alighting.cn/news/2007528/V2459.htm2007/5/28 15:43:27
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“SiC单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
由于半体体产业近期成长动能似乎大不如前，在根据gartner dataquest所公布的数据中（如图一所示），虽然2004年上半因上游设计业与晶圆代工业优异的表现下
https://www.alighting.cn/news/2007210/V3146.htm2007/2/10 16:19:52
日本shimei semiconductor开发出了一种在硅晶圆上生成的蓝光led，并计划明年4月上市。该公司声称，把硅晶圆作为gan外延附生的基板，可以显著降低成本、简化le
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7950.htm2007/2/10 13:28:59
led制作材料通常为砷、磷、镓等ⅲ-ⅴ族元素，制作过程包括上游的晶圆制作、磊晶成长，中游的扩散制程、金属蒸镀、晶粒制作，以及下游的产品封装及应用市场等。
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7891.htm2007/2/10 10:53:04
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：light emitting diode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/news/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
