站内搜索
样的研究计划和目
https://www.alighting.cn/news/2009112/V18579.htm2009/1/12 10:12:48
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
本文介绍了国内led封装生产企业对自动测试与分拣设备的需求情况，分析了led自动测试与分拣设备的光机电一体化系统构架设计，光色电参数的高速高精度检测技术，设备可靠性研究与设备成
https://www.alighting.cn/2013/5/17 10:27:28
福建省地矿实验测试大楼为一类高层综合楼，建筑层数为地上16层，主要功能为办公、研究工作室及配套设施;地下1层，主要功能为六级人防平战结合国库及设备用房。建筑高度为56米，地上建
https://www.alighting.cn/case/20160603/42536.htm2016/6/3 13:37:53
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布，该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片，这种芯片可以同时处理260万个电话数据，其运算速度是目前记录保持者英特尔芯片的4倍。
https://www.alighting.cn/news/2009519/V19759.htm2009/5/19 9:26:50
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
比利时agfa-gevaert nv、荷兰飞利浦研究所(philips research)、荷兰holstcentre、比利时imec及荷兰tno宣布，试制出了用高导电性透明树
https://www.alighting.cn/news/2009416/V19422.htm2009/4/16 9:52:31
大功率led是一种新型半导体固体光源。随着led功率的增大，led芯片散发的热量越来越多，led的散热问题越来越突出。本文的目的是研究大功率白光led的散热问题，并为其设计散热
https://www.alighting.cn/resource/20130415/125726.htm2013/4/15 11:36:37
