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s swan公司都已经开发出用于工业化生产的ⅲ族氮化物mocvd(lp-mocvd)设备。 2.2 mbe mbe是直接以ga的分子束作为ga源，以nh 3为n源，在衬底表面反应生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
为8mm～12nm；3)寿命长，可达5万小时；4）符合环保要求，led不含汞，5）与el背光相比，led背光不会产生于扰。因此，led背光广泛用于pc、tv、汽车音响、手机、通信设
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材衬底上形成均匀镀膜，结构密致，附着力良好之优点，因此ｍｏｃｖｄ已经成为工业界主要的镀膜技术。ｍｏｃｖｄ制程依用途不同，制程设备也有相
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
定的方法和专用的设备仪器来解决。cie制定了一些led测量方面的标准，一些标准还在制定之中，部分标准将成为cie/iso以及cie/iec的联合标准，以统一国际间led测量问题。中
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00
因如此，发光二极管灯泡将会从传统的电子设备指示灯中脱颖而出，成为照明领域的一可新星，导致一场新的照明革命。半导体超高亮度发光二极管（led），尤其是氮化物白光发光二极管，具有体积小
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00
出为0，从而使任一键盘输入向cpu的中断申请有效。 常用的键盘输入多采用4×4阵列式16键输入方式，如果需要显示则需要扩展芯片，增加了设备的体积和复杂性。1×8的8键输入，往
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134101.html2011/2/20 22:21:00
置，封装在单次不透明浇铸化合物中完成浇铸。 堆叠式led的优势 集成度高: 通过采用传统ic组件设备，堆叠式led技术大大增强了封装功能和灵活性。从本质上看，发射机-检测器芯片
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
0a还有2个spi口，每个spi口有4根片选信号，通过片选均可以支持外接15个设备。该系统的做法是将2个spi口分别接到列驱动电路和行驱动电路上，并利用各自的2个片选信号cs0和c
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高亮度发光二极管(hi-led)是一种半导体设备，只允许电流按一个方向流动。它是由两种半导体材料结合后所形成的pn结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传
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纤之间没有干扰，误码率大大降低。设计人员不用考虑可能耦合进来的环境噪声；②光纤提供了通信链路双方之间的电气隔离，消除了长距离设备之间由于地电位不同引起的问题。同时设计人员再也不用为阻
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