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新世代分布式光度计——测2米的灯具只需不到5米的空间

过年好!新年第一篇,发一个最新技术的分布式光度计的视频热热身吧2米直径的灯具,只需要4x4x4.9米的空间!测量结果可以知名的lmt分布式光度计比对,只是相关标准还没有出来技术总

  http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2012/1/30/263352.html2012/1/30 15:54:39

新世代分布式光度计——测2米的灯具只需不到5米的空间

过年好!新年第一篇,发一个最新技术的分布式光度计的视频热热身吧2米直径的灯具,只需要4x4x4.9米的空间!测量结果可以知名的lmt分布式光度计比对,只是相关标准还没有出来技术总

  http://blog.alighting.cn/lphchenf/archive/2012/2/1/263422.html2012/2/1 10:20:38

首批硅基板产品预计1-2年间才可量产

若第1个硅基板量产品推出后,将有益于良率改善,原本市场预期2015年才会成熟的技术,预计再1~2年间就可看到首批硅基板量产

  https://www.alighting.cn/news/20121108/88977.htm2012/11/8 15:09:46

解析leD光谱技术,挑战超高亮度leD产品

光效能、寿命长久、省电性能佳,甚至具有低污染等优势。由此可见,各种照明设备及显示光源市场需求扩大,形成规模效 应、技术效应等趋势,逐渐形成leD厂商趋之若?f情况,以及大力投入高效

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00

欧司朗改良leD制造技术

德国大厂欧司朗(osram)宣佈改良了leD制造技术。在实验室测试中,在作业电流为350ma的标准条件下,应用1mm2芯片的白色leD原型设计亮度最高可达155lm,效能可达13

  https://www.alighting.cn/news/20080731/93865.htm2008/7/31 0:00:00

功率型leD封装技术的关键工艺分析

型leD封装技术主要应满足以下两点要求:1、封装结构要有高的取光效率,2、热阻要尽可能低,这样才能保证功率leD的光电性能和可靠性。 半导体leD若要作为照明光源,常规产品的光通量

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型leD封装技术的关键工艺分析

型leD封装技术主要应满足以下两点要求:1、封装结构要有高的取光效率,2、热阻要尽可能低,这样才能保证功率leD的光电性能和可靠性。 半导体leD若要作为照明光源,常规产品的光通量

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型leD封装技术的关键工艺分析

型leD封装技术主要应满足以下两点要求:1、封装结构要有高的取光效率,2、热阻要尽可能低,这样才能保证功率leD的光电性能和可靠性。 半导体leD若要作为照明光源,常规产品的光通量

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型leD封装技术的关键工艺分析

型leD封装技术主要应满足以下两点要求:1、封装结构要有高的取光效率,2、热阻要尽可能低,这样才能保证功率leD的光电性能和可靠性。 半导体leD若要作为照明光源,常规产品的光通量

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型leD封装技术的关键工艺分析

型leD封装技术主要应满足以下两点要求:1、封装结构要有高的取光效率,2、热阻要尽可能低,这样才能保证功率leD的光电性能和可靠性。 半导体leD若要作为照明光源,常规产品的光通量

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

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