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功率led封装关键技术

本文从学、热学、电学、可靠性等方面,详细评述了大功率led封装的设计和研究进展,并对大功率led封装的关键技术进行了评述。提出led的封装设计应与晶片设计同时进行,并且需

  https://www.alighting.cn/resource/20130723/125443.htm2013/7/23 10:47:31

功率led封装技术与发展趋势

本文从学、热学、电学、可靠性等方面,详细评述了大功率led封装的设计和研究进展,并对大功率led封装的关键技术进行了评述。提出led的封装设计应与芯片设计同时进行,并且需

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125642.htm2013/5/6 16:46:59

mocvd外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和学特性

3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、吸收性质和发特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

大尺寸tft-lcd的led背技术

寸tft- lcd 的led 背技术取得了长足的进步。当前应用于大尺寸tft- lcd 的led 背源主要有两种: rgb led 背源和白led 背源。大尺寸的led 背

  https://www.alighting.cn/2013/1/14 13:52:12

led驱动电源在led灯具中的应用分析

led简称发二极管,由于它具有环保、寿命长、电效率高(目前效已经达到100lm/w)、抗震等众多优点,近年来在各行业应用得以快速发展,理论上,led的使用寿命在10万小时左

  https://www.alighting.cn/resource/20130111/126183.htm2013/1/11 9:43:02

照明级铝基板cob模组

led作为一种新型的节能、环保绿色源产品,必然是未来发展的趋势,被称为第四代新源革命。具有绿色、节能等优点。但高效低成本制约着led源取代传统灯具的步伐;同时对于led领

  https://www.alighting.cn/resource/20120728/126488.htm2012/7/28 18:01:21

sr3sio5:eu2+材料谱特性研究

采用高温固相反应方法制备了用于白二极管的sr3sio5:eu2+发材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射谱, 其均为多峰宽带, 发射谱主峰

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05

王春龙:关于照明行业未来趋势的思考

号会议室隆重举行。综合百强获奖单位代表——北京良业照明技术有限公司总经理王春龙就“的价值与艺术影响——关于照明行业未来趋势的思考”主题发表演

  https://www.alighting.cn/news/2013624/n094453050.htm2013/6/24 10:09:29

晶电现增 三大股东角力

小股东放弃的现增额度,不排除联电(2303)、万海(2615)与亿(2393)三强鼎立的现况出现质变;投信法人分析,晶电现增案已成为三大股东角力的另一战场,为下届董事长和主导权铺

  https://www.alighting.cn/news/20071119/96851.htm2007/11/19 0:00:00

广东省led主题园启动仪式圆满落幕

广led科普知识,广东省政府领导、广州、深圳、佛山、东莞、中山、惠州、珠海、江门等地市科技局、省内及地市协会、广东省半导体照明产业联合创新中心理事单位、广州为照明科技有限公司

  https://www.alighting.cn/news/20121022/108860.htm2012/10/22 10:04:48

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