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示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274704.html2012/5/16 21:27:15
入一般的商业市场。实际上，一些分析家认为，oled将永远无法同紧凑型荧光灯和led竞争，仍将是一个利基技术。 当今市场上最大的15*15厘米oled面板，由lumiotec生
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/5/16/274593.html2012/5/16 17:35:11
v z-fet?碳化硅mosfet器件和三款z-rec?碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
据意见稿提出，十二五半导体照明的具体目标为，白光led器件光效达国际同期先进水准(150-200 1m/w)，led光源/ 照明灯具光效达到80 lm/w，矽基半导体照明、创新应
https://www.alighting.cn/news/20120508/99412.htm2012/5/8 10:08:58
现。 热点二：2012年led封装技术四大发展趋势 led封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化四个方向发展，目前主要的亮点有：硅基led、cob封装技术、覆晶
http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2012/5/7/273708.html2012/5/7 17:55:08
4月27日，日本led制造商丰田合成和昭和电工宣布组建合资企业，生产gan基led芯片，以解决高端led芯片应用市场。丰田合成与昭和电工在2009年曾签署了一项专利交叉许可协议。
https://www.alighting.cn/news/201254/n808139433.htm2012/5/4 10:27:55
台厂光磊、光颉转投资的朗天科技，转型生产利基型的led照明初见成效。5月2日，朗天表示，2012年初产品开始出货，首季营收达500万新台币，年底可望成长到5000万新台币目标，达
https://www.alighting.cn/news/20120503/113699.htm2012/5/3 13:55:35
