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台湾科学工业园区管理局今天召开第151次创新技术研究发展计划奖助审核会议，通过奖助旭明光电新台币300万元研发“高亮度与高发光效率氮化镓发光二极管”。
https://www.alighting.cn/news/20060421/101032.htm2006/4/21 0:00:00
晶能光电（江西）有限公司在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管材料与芯片，改变了日美等发达国家垄断led核心技术的局面，走出了一条具有我国特
https://www.alighting.cn/news/20100926/104252.htm2010/9/26 0:00:00
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
日亚化学 (nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(ingan)激光器所保
https://www.alighting.cn/news/20090616/104671.htm2009/6/16 0:00:00
」项目。该项目的目标是生产高功率的氮化鎵led，光出量为90
https://www.alighting.cn/news/20090109/105876.htm2009/1/9 0:00:00
y reactor系统，用于氮化镓基超高亮度白光led的生
https://www.alighting.cn/news/20090916/106054.htm2009/9/16 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
日前led上游大厂美国cree表示，该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议，三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵（gan）基板，并有权签订类似专利范围的再授权协
https://www.alighting.cn/news/20090120/106630.htm2009/1/20 0:00:00
它重点产品获取全球最大的市场份额。在2011年3月之前推出氮化鎵(gan)基半导体产
https://www.alighting.cn/news/20101109/107538.htm2010/11/9 0:00:00
12月24日晚间，新海宜公告称，公司控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到通知，苏州工业园区将对其“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科
https://www.alighting.cn/news/20131225/111570.htm2013/12/25 9:55:46
