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国家发改委、科技部等多个部委今天联合发布《半导体照明节能产业规划》。《规划》中称，到2015年，led关键设备和重要原材料实现国产化，重大技术取得突破。
https://www.alighting.cn/news/20130217/99071.htm2013/2/17 15:12:06
出的发光效率超过120lm/w硅基大功率led芯片产品，让我们彻底扬眉吐气了一把。ledinside认为，在蓝宝石衬底led的领域里，中国的led企业几乎没有核心技术专利，且一直处
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/2/17/309685.html2013/2/17 13:23:58
6～18日、东京有明国际会展中心上展出该器件相关的研究成果。 田村制作所开发出使用氧化镓的白色led 在2013年1月16～18日于东京有明国际会展中心举行的“日本第3届led
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47
期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因gan基的led器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国assist联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。gang基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
京有明国际会展中心上展出该器件相关的研究成果。 田村制作所开发出使用氧化镓的白色led 在2013年1月16～18日于东京有明国际会展中心举行的“日本第3届led及有机el照明展
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(gan)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
