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讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
叙述了正向电压法测量功率型led温度系数k和热阻的原理,介绍了测试装置及具体测试过程,对蓝宝石衬底正装led和硅衬底倒装led的温度系数和热阻进行了测量。选用热阻已知的led样
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127243.htm2011/8/29 15:21:17
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
到2009年年底前，台湾led芯片制造商晶元光电(epistar)和璨圆光电(formosa epitaxy)将扩大led芯片月产量，有望增长到2亿颗，而日本的日亚也将在200
https://www.alighting.cn/news/2009826/V20699.htm2009/8/26 9:26:15
全国高科技企业发展led专业委员会主任郑浩闻称，中国led照明产品检测标准制订工作在去年底已经悄然展开，预计今年底前相关的检测标准会出台一部分，并在2011年进一步完善，相对完
https://www.alighting.cn/news/201035/V23011.htm2010/3/5 9:11:10
近期led照明的产业新闻似乎逃不过如下五个话题：行业洗牌、蓝宝石衬底、mocvd、价格战以及中功率。这牌何时洗的完?蓝宝石衬底升温至何处?mocvd国产化突围之路走到哪里?价格
https://www.alighting.cn/news/20131025/n677357714.htm2013/10/25 9:13:18
2010年led背光tv市场迅速增长，mocvd机台增加众多，市场上led用蓝宝石衬底处于供不应求的状态。而蓝宝石晶体生长炉的数量与品质决定了蓝宝石衬底的数量与品质。为
https://www.alighting.cn/news/20100830/86222.htm2010/8/30 0:00:00
translucent称其vgan产线是世界上第一条可盈利的可扩展reo基gan衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表
https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28
