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m aln已经在si上形成了厚度均匀的连续薄膜,估计其穿透位错密度高达5×1010cm-2.在p侧使用ni/au电极;n电极则从si衬底面引出。对于 300×300mm的管芯,在4.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
1。 从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
要能避免mo gas金属有机蒸发源与nh3在预热区就先进行反应3进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说gan的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解,另外一方面由动力学仿
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
配的衬底材料,外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷,其大部分的是线性位错,器件工作时,接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区,从而形成低阻欧姆通道,造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
1 前言 有机发光显示器(organic light emitting display,oled)是一种新型发光和显示器件。oled实质上是一个薄膜器件,它的发光层是有机材料
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134141.html2011/2/20 23:04:00
现,各大led生产商在上游磊晶技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
年,由于聚合物可以采用旋涂、喷墨印刷等方法制备薄膜,从而有可能大大地降低器件生产成本,但目前该技术远未成熟。 由于 oled 具有高亮度、宽视角、响应速度快、易于实现高分辨率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00
如,通常薄膜印制板是安装在铝基板上,铝基板再安装到铝散热器上,其间还要涂上导热胶,导热胶的厚度很难估计,而且其中还有残存的气隙。对于采用热管的灯具,则还要考虑热管和散热鳍片之间的空
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139189.html2011/3/7 16:13:00
温就必须知道很多热阻的值。包括rjc(结到外壳),rcm(外壳到铝基板,其实其中还应当包括薄膜印制版的热阻),rms(铝基板到散热器),rsa(散热器到空气),其中只要有一个数据不准
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143432.html2011/3/17 21:55:00
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