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让led灯符合emc及电能质量标准要求

当输入电压为115 vac时,裕值更高。图3 在230 vac最差情况下符合en55022a标准  结语  尽管存在一定的物理性限制,但是,以具有成本效益的方式将高性能hb led

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230299.html2011/7/19 23:50:00

oled显示技术近期进展及赶超机遇

代,1963年pope报道了蒽单晶片在400v电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的oled后,oled技术才引起各国专

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230286.html2011/7/19 23:41:00

【spw6130】全方位移动照明灯塔【西安】

场。3、sfw6130 全方位移动照明灯塔 采用进口高性能发电机组供电,发电机组一次注满汽油可连续工作时间 9 小时;在有市电的场所,也可接通220v 交流电源实现长时间照明。4

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/19/230185.html2011/7/19 8:26:00

发光二极管封装结构及技术

积小,成本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12%,“十五”期间的产业目标是达到年

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00

基于单片机的led汉字显示屏设计与制作

b闪烁可编程可擦除只读存储器(falshprogrammableanderasablereadonlymemory,fperom)的低电压、高性能cmos型8位微处理器,俗称单片

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230164.html2011/7/19 0:20:00

基于arm和fpga的全彩独立视频led系统

司设计开发的通用32位risc微处理器体系结构,设计目标是实现微型化、低功耗、高性能的微处理器。linux作为一种稳定高效的开放源码式操作系统,在各个领域都得到了广泛的应用,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230156.html2011/7/19 0:14:00

背光源(backlight)的起源发展及分类

%,可说是lcd模块中相当重要的零组件。高精细、大尺寸的lcd,必须有高性能的背光技术与之配合,因此当lcd产业努力开拓新应用领域的同时,背光技术的高性能化(如高亮度化、低成本化、低

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229972.html2011/7/17 23:42:00

发光二极管封装结构及技术

小,成本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。 国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12%,“十五”期间的产业目标是达到年

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

el显示(薄膜型电致发光显示)技术

薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开

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led的封装技术

本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12%,“十五”期间的产业目标是达到年产300

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