站内搜索
于1300-1600℃灼烧 2-4小时,冷后经后处理成为最终的荧光粉。光学性能用fluorolog 3 型荧光分光光度计及spr-920d型光谱辐射分析仪测试,颗粒特性用coulte
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00
难。一是inn材料的离解温度较低,在600 ℃左右就分解了,这就要求在低温生长下inn ,而作为氮源的nh3的分解温度较高,要求1000℃左右,这是inn生长的一对矛盾,因此采用一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
度,经10-15s就使暴露在元件体外的贴片胶迅速固化,同时炉内继续保持150-140℃温度约1min,就可使元件下?i的胶固化透。针头转移法的使用不到全部应用的10%,它是使用针
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00
大,例如焊锡的不饱满,焊锡本身质量存在问题等等,都会产生严重的泄漏路径,从而造成毁灭性的破坏。另一种故障是由于节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
为0．2-0．3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn 结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,led的发光强度会相应地减少1％左
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
形树脂透镜,可使光集中到led的轴线方向,相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。一般情况下,led的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm/℃,光谱宽
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
时也会达到800℃∼900℃,在这样的高耗电机构下,就必须使用交流(ac)电源驱动,及复杂的电源电路和必要的散热解决方案。且因超高压水银灯和荧光灯发光的原理是一样的,所以依靠汞的激
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229912.html2011/7/17 23:10:00
led焊接条件：(1)烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229904.html2011/7/17 23:07:00
产品应用常识和性能检测如下:(1)烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229901.html2011/7/17 23:06:00
