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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有关
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活性
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
晶能光电(江西)有限公司是以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为技术依托，由金沙江、淡马锡、梅菲尔德、永威投资、凯鹏华盈等多家国际著名的风险投资基金共同投资，专门从事硅衬
https://www.alighting.cn/news/20080507/101876.htm2008/5/7 0:00:00
GaN基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来GaN基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得GaN基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯、移动电话背
https://www.alighting.cn/resource/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯
https://www.alighting.cn/news/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
5大片区，15个城市，78家企事业单位，阿拉丁携手100+名重磅行家，针对led景观照明、汽车照明、植物照明、led光源器件、关键配套材料、智慧照明与物联网科技等6大领域，进行大
https://www.alighting.cn/news/20200416/168040.htm2020/4/16 13:59:03
在这些研究中，天野着重强调了功率器件应用的重要性。这是因为与si相比，GaN的带隙大、导热率高，具备适用于功率器件的特性，有望起到良好的节能效果。
https://www.alighting.cn/news/20141028/n812266709.htm2014/10/28 9:20:42
上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。
https://www.alighting.cn/news/20140605/86888.htm2014/6/5 9:13:57
对应用在led显示控制系统中的sdram控制器进行了设计,实现了256×64像素点的实时显示控制,采用xilinx公司的现场可编程逻辑器件(fpga)xc3s250e作为系统的硬
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05
作为阳极的 ito 表面状态好坏直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。如果 ito 表面不清洁，其表面自由能变小，从而导致蒸镀在上面的空穴传输材料发生
https://www.alighting.cn/news/20060114/104225.htm2006/1/14 0:00:00
