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ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
而本届诺贝尔物理学奖的核心是，开发出了蓝色led使用的氮化镓(GaN)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大，但不能说因为可以制作出这种晶体，物理学方面的理论研究就
https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22
体公司研发GaN衬底的led同质外延技术，美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技
https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33
近年来在半导体前段晶圆制程设备部分，晶圆制造业者，如台积电、联电等基于制造成本与服务效率的考量，对于设备耗材零组件的本土化已逐渐凝聚共识，起而推动并订立自身本土化目标，台湾le
https://www.alighting.cn/news/2014528/n576262613.htm2014/5/28 14:38:47
台湾原厂供应8寸台系mos管晶圆，良率大损耗小。裸片尺寸大是市面上的2～3倍，可大大的降低成本，更可节约能源以及水资源。从机器和工艺上讲我们全部采用8寸工艺生产制造，取代市场上
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299431.html2012/11/21 14:20:18
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
锯成晶圆裸片形式的蓝光plb01005
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
精确而高性价比的测试对于确保led器件的可靠性和质量至关重要。led测试在生产的不同阶段具有不同类型的测试序列，例如设计研发阶段的测试、生产过程中的晶圆级测试、以及封装后的最终测
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/11256_84.htm2012/4/11 11:25:06
吋晶圆厂，预定于2012年10月开始量
https://www.alighting.cn/pingce/20120726/122450.htm2012/7/26 11:17:51
这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57
