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gan基功率led电应力老化早期的退化特

d的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光led的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光led的负加速因子的增加速度比蓝光led

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

大功率白光led的结温与发光光谱特研究

以两种不同型号的大功率白光led为研究对象,通过阻法和正向压降法综合测量led的结温,利用荧光光度计测量led光谱,研究大功率白光led的结温与光谱之间的关系。结果发现对于不

  https://www.alighting.cn/2013/3/20 11:21:05

智能led照明系统与传感技术

里,led光源模组的点亮还需要用直流恒流电源驱动。本文将围绕智能led照明简述几种智能led照明系统及传感技术,以及光敏传感器、释电红外传感器、菲涅尔透镜、信号放大处理和控制电路,红

  https://www.alighting.cn/resource/20130227/125987.htm2013/2/27 12:05:51

可调光市电输入led通用照明解决方案

以满足上述能要求,此外,它还是一种高效的电源转换器。这是业内第一款集成这些能力的ic,它使得高亮度led灯/模块设计师能够以一种省成本和体积的方式集成电子电路,并从最佳权衡中获

  https://www.alighting.cn/resource/20130115/126161.htm2013/1/15 16:57:21

led模组化——led发展新趋势

、光学、材料和工艺力学等物理本质的理解和应用。led封装设计应与晶片设计同时进行,并且需要对光、、电、结构等能统一考虑,将众多器件集成化,形成led模组,推进led照明更好更

  https://www.alighting.cn/resource/20130110/126184.htm2013/1/10 15:19:16

凹杯散专利技术

世晶绿能团队于研发之初,就先承认高功率led之高问题,扬弃smd接脚之狭小面积,也不满足于cob之底部接触,开发更大接触面积之解决方案,现有与散有关之核心发明专利有圆弧平底凹

  https://www.alighting.cn/resource/20120712/126523.htm2012/7/12 10:21:50

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特及其机制

无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

flip chip led(倒装芯片)简介

p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的量直接通过金属凸点导给导系数高的硅衬底(为145w/mk),散效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层,又消

  https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26

led灯具散设计技巧

传统指示灯型led封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件内外连接后用环氧树脂封装而成,其阻高达 250~300℃/w,新的大功率芯

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/128018.htm2010/7/12 15:45:37

迈图:推出解决led照明的新导有机硅产品

置,最终固化聚集成一道细细的胶合线。这有利于提高传递过程中的总效率。新产品可提供1~6 watt/m.k的导率,并且可根据等级采用滴涂或丝网印刷来涂抹这些产

  https://www.alighting.cn/resource/20101102/128352.htm2010/11/2 0:00:00

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