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东芝GaN功率元件led灯泡电源缩小40%

东芝照明新产品中因小型化而空出的空间追加了调光功能。借助相位调光控制用ic以及调光控制软件,不仅led专用的调光器,就连白炽灯用调光器也支持“premium调光technology

  https://www.alighting.cn/pingce/20150304/121432.htm2015/3/4 14:37:49

隔离式电源创新技术 灵活发挥GaN的效能

2012年2月27日,德州仪器(ti)在北京举办了新闻发布会,推出隔离式电源的创新技术,最新ucd3138数字电源控制器与最新mosfet栅极驱动器。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120312/122631.htm2012/3/12 12:18:11

GaN基低色温高显色白光led

采用440 nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。

  https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30

veeco推出生产hb led的maxbright GaN mocvd

veeco相关人士指出,“maxbright的价值主张是明确的:它是最高的生产力mocvd系统制造高亮度led市场上。该架构支持单腔或多腔层的生长能力,提高led结构过程的灵活性高

  https://www.alighting.cn/news/2011210/n132830261.htm2011/2/10 18:35:34

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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