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采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功
https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55
https://www.alighting.cn/news/20090304/85843.htm2009/3/4 0:00:00
11月18日消息，全球碳化硅（sic）技术领先企业科锐与abb电网事业部宣布达成合作，共同扩展sic在快速增长大功率半导体市场的采用。
https://www.alighting.cn/news/20191119/165153.htm2019/11/19 9:43:00
据台湾杂志《新电子》报道，罗姆半导体集团 (rohm semiconductor) 和意法半导体 (st) 宣布与罗姆旗下公司sicrystal签署一项碳化硅 (sic) 晶圆长
https://www.alighting.cn/news/20200117/166255.htm2020/1/17 9:44:59
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是iii-v族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，已有开启即用的抛光征供货。其他原材料还有金属高纯镓，高纯金属有机物源如三甲基镓、三乙基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109152.html2010/10/20 17:35:00
