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m，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光，峰值550nm。蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500n
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/25/272876.html2012/4/25 11:55:05
断。gan芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以
http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272312.html2012/4/17 17:20:01
为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271815.html2012/4/10 23:37:58
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271763.html2012/4/10 23:32:00
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
