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2013ls:晶能-衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、外延研发副总裁主讲的关于介绍《衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

si基光发射材料的探索

由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的

  https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14

led封装技术可靠性研究

led封装技术可靠性研究

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/20/18367_56.htm2011/7/20 18:36:07

领冠半导体上市三款ul认证可控调光新品

近期,东莞市领冠半导体照明有限公司全新推出了几款ul系列可控调光电源产品,包括应用于led筒灯的lkad012d、lkad025d,用于led面板灯的lkad045d。三款产品

  https://www.alighting.cn/pingce/20140923/121466.htm2014/9/23 18:17:10

plessey推新一代基氮化镓led光效可达64lm/w

英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代基氮化镓led。型号为plw114050,目前正在出样,这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29

晶能光电宣布衬底大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/2014522/n787062438.htm2014/5/22 12:02:41

晶能光电衬底大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13

基大功率led芯片进步神速,晶能光电融资扩产

记者从南昌高新区政府获悉,晶能光电新一期扩产融资款已经到账。自2012年6月晶能光电于全球率先宣布实现基大功率led芯片量产以来,其产品性能提升突飞猛进,光效由最初发布的12

  https://www.alighting.cn/news/20130513/112701.htm2013/5/13 13:30:49

剑桥大学ccs系统实现6英寸晶片生长氮化镓

据爱思强称,剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片,实现在6英寸晶片上生长氮化镓外延,继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实

  https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23

晶能光电在谷展示全球唯一量产的基大功率led芯片

晶能光电有限公司首席技术官(cto)赵汉民博士应邀出席“新一代高亮led峰会”并发表演讲,介绍了晶能光电最近实现量产的衬底大功率led芯片的最新成果,引起业界高度的关注。

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113356.htm2012/7/18 17:38:49

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