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si衬底上inp纳米线的晶体结构和光学性质

相似,纳米线面密度不同。利用x射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与inp体材料相比,纳米线的

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底GaN基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

点一盏水晶盐灯,多一份温暖在心中

水晶盐灯一个来自喜马拉雅山的天然之品,一种具有养生保健、净化空气的神奇礼品,它源自两亿八千万年前的地壳的地质作用,集日月精华蕴含了丰富的能量,形成了现在的具有完美晶体结构的水晶岩

  http://blog.alighting.cn/lightsalt/archive/2011/10/25/248417.html2011/10/25 9:29:15

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

白光led用红色荧光粉lieu_(1-x)y_x(wo_4)_(0.5)(moo_4)_(1.5)的制备及其发光性能研究

以wo3,moo3,eu2o3,li2co3,y2o3为原料,采用传统的高温固相反应方法制备了一种新的白光led用红色荧光粉lieu1-xyx(wo4)0.5(moo4)1.5(x

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16

白光led应用于室内照明的分析与探讨

绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27

大功率led设计法则

本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;

  https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24

三星康宁展示1到6英寸的GaN基板

scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。

  https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09

p型GaN欧姆接触的研究进展

宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53

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