检索首页
阿拉丁已为您找到约 2001条相关结果 (用时 0.227539 秒)

西安大唐不夜城——绝美的盛唐画卷

李隆、武则天、玄奘等一代帝王、历史人物、英雄故事为主题的大唐群英谱雕塑以九组雕塑群与现代化的水景系统、灯光系统、立体交通系统完美结合,多维再现了盛世大唐风范,从而也给古城西安再

  http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275174.html2012/5/20 20:32:06

led散热板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷板作为晶粒散热 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275040.html2012/5/20 20:21:28

led散热板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷板作为晶粒散热 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275037.html2012/5/20 20:21:18

功率型led芯片的热超声倒装技术

结合功率型gan 蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围

  https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47

手机相机的led闪光灯驱动电路

路和升压开关管,但是电感和用于续流的肖特二极管还是外接的,这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外,由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端,与手机的射频电

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274786.html2012/5/16 21:31:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

高亮度led发光效益技术

高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点,但仍得面对静电释放(esd)损害和热膨胀系数(tce)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着台(submoun

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31

首页 上一页 75 76 77 78 79 80 81 82 下一页