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求。由于led芯片尺寸小、封装工艺要求高、封装生产速度快,因此很难在封装过程中进行实时的质量检测与控制。2、led封装工艺的特点分析 要在led封装工艺过程中对其芯片/封装质量进
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℃;相对湿度:40%~80%;大气压力:86kpa~106kpa;电源电压:220v±10%、50hz±lhz。4.2测试仪表及软件彩色电视信号发生器:s/n大于52db;彩色分析
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230138.html2011/7/19 0:05:00
行方式传送数据,这样既可以节省电路板的位置,又适合显示屏与计算机之间的数据传送。3 工作状态分析 显示扫描电路的原理是动态扫描方式,不能静态测量其工作电流,因此,要计算出工作电流,就
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从这份档案中我们可以清楚知道某一生产令的投产晶片资料,而且会把所有的分级数据存档分析,这样我们就有了公司所有产品的k-factor明细,从而也从源头开始就把产品列入控制,我们就能根
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们把行列总线接在单片机的io口,然后把上面分析到的扫描代码送人总线,就可以得到显示的汉字了。但是若将led点阵的行列端口全部直接接入89s51单片机,则需要使用32条io口,这
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230164.html2011/7/19 0:20:00
等参数指标,为分析发光机理提供一定的依据。本文研究的重点内容是利用单片机控制和功率变换技术,采用一台自行设计的电压、频率、占空比均可调的驱动电源,作为分析有机电致发光材料的测试平
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230292.html2011/7/19 23:44:00
示器件的基本工作原理及特性,详细介绍了led点阵显示屏的具体电路和参数。 第二章针对广泛应用的图文显示屏,在介绍它的基本组成之后,对各部分led显示屏电路进行了深入的分析,并给出了完
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性。2.3 p型欧姆接触退化在gan基led失效分析过程,对比器件退化前后的i-v特性[14](图2)发现,已退化器件的寄生串联电阻增加使得相同电压偏置下的正向电流减小[见图中(
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
有一定的份额,而市场的主流依然是tft和cstn,这两种类型的lcd屏占据了现有的中小尺寸显示屏出货量的绝大部分。本文重点就中小尺寸的lcd显示屏的背光驱动解决方案作一个分析介绍。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230351.html2011/7/20 0:23:00
此封装的热管理技术拥有最大的改善空间,也是各家公司竞争胜出之所在。而且,这个领域也是最能够降低成本的地方。yole développement分析师philippe rousse
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