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、as等两个以上元素结合而成的ⅲ—ⅴ族；由ⅱ族的zn与ⅵ族的s、se结合而成的ⅱ—ⅵ族；由si与c结合而成的ⅳ—ⅳ族等化合物半导体，主要技术有单晶制作技术、外延技术、掺杂技术、元
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/6/1/47367.html2010/6/1 23:07:00
片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料基板, 单晶棒, 萤光粉, 环氧树脂, 导线架等磊晶( mocvd / mbe / lpe / vpe )晶粒产品( 扩散
http://blog.alighting.cn/wanshengexpo/archive/2010/6/2/47547.html2010/6/2 16:22:00
d，绿光led。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98268.html2010/9/19 21:40:00
白光led多是二波长，即以蓝光单晶片加上yag黄色荧光粉混合产生白光。未来较被看好的是三波长白光led，即以无机紫外光晶片加红、蓝、绿三颜色荧光粉混合产生白光，它将取代荧光灯、紧凑
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98272.html2010/9/19 21:42:00
计，可封单晶到多晶，优异的热管理，高信赖性及效能，抗紫外线，抗老化。在光学技术上，利用世界上最先进的软件，获得了光学模拟、光形设计和透镜亮度增加技术的重大成就。这些应用程序不仅提
http://blog.alighting.cn/worldled/archive/2010/12/9/119423.html2010/12/9 21:50:00
d。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白光）led并成
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
种在线控制技术，降低了外延材料中的刃位错和螺位错，改善了si与gan两者之间的热失配和晶格失配，解决了gan单晶膜的龟裂问题，获得了厚度大于4 μm的无裂纹gan外延膜。 （
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
低了外延材料中的刃位错和螺位错，改善了si与gan两者之间的热失配和晶格失配，解决了gan单晶膜的龟裂问题，获得了厚度大于4μm的无裂纹gan外延膜。 (2)通过引入ai
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
代，1963年pope报道了蒽单晶片在400v电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的oled后，oled技术才引起各国专
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133832.html2011/2/19 23:20:00
衡方程进行新一轮计算，直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例，对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
