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路板上的元件孔距是有差距的。 (3)就尽量接近同级电路的接地点，并且本级电路的电源滤波电容也应接在该级接地点上。特别是本级晶体管基极、发射极的接地点要离近点，否则因两个接地点
http://blog.alighting.cn/pinweishenghuo/archive/2011/6/14/220236.html2011/6/14 13:57:00
石的一种。其主要成分为方解石晶体，因含有金属铬而呈黄色。主产地为竹山县得胜镇、河南省内乡庙岗、淅川魏营、湖北郧县潭山等地。竹山县大理石资源主要分布在得胜镇，已发现“米黄玉”、“汉白玉”
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2012/12/26/305548.html2012/12/26 10:52:34
来越注重产品的研发及应用的技术。led显示屏与led电子显示屏的区别在于电子显示屏是用led电子二极管，普通意义上的ld显示屏是用led晶体二极管。 根据led行业数据显
http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/4/2/313244.html2013/4/2 15:18:28
术创新”为主题的报告会议。（中心主任李世玮教授主持会议） 活动吸引了国内外多家蓝宝石厂商及产业链厂商到场。在持续了一整天的论坛上，与会代表就蓝宝石晶体生长方式、蓝宝石修整、蓝宝石切
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/9/325558.html2013/9/9 14:53:10
子博士学位，对于iii-v氮化物材料外延、半导体制程开发(高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激光二极管、半导体探测器)、直流&射频溅射、电子束&热淀积、光刻工
http://blog.alighting.cn/206539/archive/2014/3/25/349659.html2014/3/25 13:35:35
导体制程开发(高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激光二极管、半导体探测器)、直流&射频溅射、电子束&热淀积、光刻工艺技术、材料与器件特性表征测试等有丰富研究与经
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/25/349660.html2014/3/25 13:44:34
告，同时有30多篇文章被sci和ei收录。邵博士毕业于清华大学，并获得物理电子与光电子博士学位，对于iii-v氮化物材料外延、半导体制程开发（高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激
http://blog.alighting.cn/206539/archive/2014/12/12/363540.html2014/12/12 17:59:20
著的增加。在近代电子学中用得最多的半导体就是硅（ｓｉ）和锗（ｇｅ），它们的最外层电子都是４个，在硅或者锗原子组成晶体时相邻的原子相互影响，使外侧电子变成两个原子共有的，这就形成了晶体
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9230.html2008/10/30 20:13:00
中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。 （2）脱焊和虚焊的开路故障。 （3）漏液后造成容量小或开路故障。 （4）漏电、严重漏电和击穿故障。 三、晶体二极
http://blog.alighting.cn/liuhongsheng/archive/2009/11/23/19904.html2009/11/23 11:05:00
量为0. 1 uf、误差为±5%。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“d”加数字表示，如： d5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电
http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111438.html2010/11/2 9:57:00
