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1)。 3材料选用 3．1陶瓷盖 led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179860.html2011/5/20 0:28:00
为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
l bonding (金属粘着）芯片；该芯片属于uec 的专利产品 特点﹕1、采用高散热系数的材料---si 作为衬底，散热容易。 therma
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34474.html2010/2/27 14:03:00
d了。 外延片也是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是p型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221788.html2011/6/18 22:58:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221803.html2011/6/18 23:09:00
中装入更多个衬底外延片生长，更加适合于规模化生产的技术，以降低成本;另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设
https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38
https://www.alighting.cn/news/2010531/V23876.htm2010/5/31 9:04:18
获奖人物：王敏，晶能光电(江西)有限公司ceo、江西省晶和照明有限公司董事长 王敏，浙江大学博士，2001年投资led研究，03年开始专注硅衬底led技术的研发，并于06年创造
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/6/7/318867.html2013/6/7 10:36:40
在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
为了克服正装芯片的这些不足，出现了倒装芯片(flip chip)结构，光从蓝宝石衬底取出，不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，增加fli
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
