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普瑞将生产硅衬底led芯片 成本或下降20-30%

普瑞公司已经大大提高了硅衬底led芯片的流明/瓦,光色和显色指数等性能,而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月,普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓led发展战略

  https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44

普瑞光电:固态照明矽基led磊晶新技术

台积电旗下创投vtaf公司投资的美国led大厂普瑞光电于3月25日宣布,该公司运用“氮化镓上矽”(gan-on-silicon)的led技术,已达成每瓦135流明之效能。这代表普

  https://www.alighting.cn/news/20110329/116855.htm2011/3/29 11:33:52

八大全球led制造商简介

著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)

  https://www.alighting.cn/news/20090324/117058.htm2009/3/24 0:00:00

cree宣布与三菱化学签订gan基板授权合约

议,mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(gan)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense

  https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00

飞利浦lumileds选择veeco mocvd,量产大功率led

锋,该公司已选择veeco的turbodisc? k465? 氮化镓(gan)金属有机化学气相沉积(mocvd)设备,以帮助其luxeon led产品进行大批量生

  https://www.alighting.cn/news/20090825/118174.htm2009/8/25 0:00:00

松下发布10000v崩溃电压下的gan功率管

本周,电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm),会上,来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(gan)功率晶体管,其崩溃电压超

  https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00

三菱化学将投资150亿日圆扩产led基板和组件

三菱化学目前正着手研发将led基板生产成本降至现行1/10的新方法,并将于2012年底前在旗下筑波事业所内新设产线开始量产;该led基板采用氮化镓(gan),其耗电力仅需一般蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20100923/118912.htm2010/9/23 0:00:00

普瑞光电低能耗led芯片nlx-5上市

面向大批量、固态照明市场提供节能led技术的领先供应商普瑞光电股份有限公司(以下简称普瑞光电)2008年6月4日宣布,公司最新研制的nlx-5高功率氮化镓(gan)led芯片已正

  https://www.alighting.cn/news/20080805/119029.htm2008/8/5 0:00:00

veeco推出用于生产高亮度led的gan mocvd设备turbodisc® k465i™

veeco推出turbodisc? k465i? ,一款用于生产高亮度led(hb led)的氮化镓(gan) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备,日前经过led产业

  https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00

vishay推出新型0.9mm 厚led

vishay intertechnology公司推出采用氮化铟镓(ingan)技术、具备低电阻及高光功率特性的全新暖白色smd led──vlmw611..与vlmw621..系

  https://www.alighting.cn/news/20080314/119690.htm2008/3/14 0:00:00

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