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研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的led而言，这种增长非常可观。
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54
大陆led厂近年买进百台以上mocvd，需要的外延制程工程师高达百位，对工程师人才的缺口相当庞大。加之大陆在蓝光部分亮度仍较台厂差距2级左右，亮度约减少14%，加上蓝宝石衬底价格高
https://www.alighting.cn/news/20110211/91324.htm2011/2/11 12:57:24
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(gan)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
担的高亮度氮化镓led芯片及半导体照明光源项目，被认证为国家级火炬计划项目。福地电子此次涉足照明行业，主要就是希望为led市场树立一个典范。目前的功率或照明器件封装企业，由于无法获
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/20/128215.html2011/1/20 16:46:00
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而gan(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
→钝化→划片→测试→包装。 1.2主要制造工艺 采用thomasswanccs低压mocvd系统在50mmsi(111)衬底上生长gan基mqw结构。使用三甲基镓(tmg
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127028.html2011/1/12 16:37:00
将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan led衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（led）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
