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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称；metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词：汽相外延；薄层外延；晶体生长技
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氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类
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料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准pw所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历史上,外延片是由si片制造商生产并自
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e的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性晶圆生长或侧向晶圆生长技术采用这种技术可以进一步减少位错密度,改善gan晶圆层的晶
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能好、不吸收可见光等,但不足方面也很突出,如价格太高,晶体质量难以达到al2o3和si那么好、机械加工性能比较差,另外,sic衬底吸收380纳米以下的紫外光,不适合用来研发380纳
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子计算机、通讯设备和电视机、录放机中得到了应用。开关晶体管、开关二极管和开关变压器是组成开关电源的三个关键元件,减小开关电源的体积和重量就须提高电源的开关频率,大功率,高反压和高速开
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用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
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荐使用需要浮动栅极驱动的n通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在
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可能用纯数字的方法提供该功能。替代方法是采用连接内置参考电流的模拟结构以控制led电流。 可以用伪镜像结构中的npn晶体管开发简单的应用,强制参考电流按照如图3的pspice模型所
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