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、照明工程中led光源发展史 led(lightemittingdiode)，又称发光二极管，是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端施加正向电压时，半导体中的载流子发生复
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
d上的应用还刚刚起步，需要进一步进行深入的研究。pdp用荧光粉市场前景可观 彩色pdp应用广泛，而彩色pdp所用的真空紫外辐射(vuv)激发下的三基色荧光材料是实现彩色pdp的关键材
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
随着半导体技术的飞速发展，对封装材料的要求也越来越高，以前应用的普通环氧树脂已不能完全满足技术要求。目前国外对环氧树脂的技术改进主要集中在以下两个方面。 1、低粘度化 用环氧树
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
灯成为可能。 白光led的产生有两种途径：第一种方法就是将红、绿、蓝三种led组合产生白光；第二种方法就是用led去激发其它发光材料混合形成白光，即用蓝光led配合发黄光的荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
、高效节能等优异特性在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景，成为半导体领域的研究热点，国内外很多科研机构和企业先后开展了gan基材料、器件的相关研究，在材
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
业目标是达到年产３００亿只的生产水平，实现超高亮度ａｉｇｓｌｎｐ的ｌｅｄ外延片和芯片的大批量生产，年产１０亿只以上红、橙、黄超高亮度ｌｅｄ管芯，突破ｇａｎ材料的关键技术，实现蓝、绿、
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
n芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
度的蓝色及纯绿色半导体晶片制造技术主要掌握在日本，美国等少数公司手中，造成价格比较昂贵。 应用于显示屏的led发光材料有以下几种形式： ①led发光灯(或称单灯) 一般由单个le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120539.html2010/12/13 23:01:00
对二次焊接的温度要求较为严格。温度过高容易损坏管芯，温度过低则易产生虚焊。二次焊接在生产制造过程中对设备精度要求很高，焊接温度、贴片机的对位精度及使用的焊接材料、网板厚度等都对其可靠
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120537.html2010/12/13 23:00:00
贴片led的基板材料与其他贴片一样，但考虑到散热，一般采用专用的高导热金属陶瓷(ltcc-m)基板。 高导热金属陶瓷(ltcc-m)复合基板例如：高功率led陶瓷基板，它
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120533.html2010/12/13 22:59:00
