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lED倒装(flip chip)简介

功率lED由于芯片的功率密度很高,器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前gan基外延衬底材料有两大类:一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石;一

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00

中国lED封装技术与国外lED封装对比

一、概述   lED产业链总体分为上、中、下游,分别是lED外延芯片、lED封装及lED应用。作为lED产业链中承上启下的lED封装,在整个产业链中起着无可比拟的重要作用。基

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126780.html2011/1/9 21:17:00

lED照明不可忽视的技术细节

域,要体现出节能和长寿命的特点,选择好lED驱动ic至关重要,没有好的驱动ic的匹配,lED照明的优势无法体现。 lED照明设计需要注意的技术细节  lED灯具对低压驱动芯片的要

  http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166038.html2011/4/18 22:58:00

大功率照明级lED的封装技术

小功率lED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率,给lED封装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 1、大功率lED芯片   要想得到大功

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00

大功率照明级lED的封装技术、材料详解

散功率、大的发热量以及高的出光效率,给lED封装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 1、大功率lED芯片 要想得到大功率lED器件,就必须制备合适的大功

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00

lED照明不可忽视的技术细节

具对低压驱动芯片的要求:  1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足dc8-40v,以覆盖应用面的需要,耐压如能大于45v更好;ac 12v或24 v输入时简单的桥式整流器输出电

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233100.html2011/8/20 0:00:00

lED照明不可忽视的技术细节

具对低压驱动芯片的要求:  1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足dc8-40v,以覆盖应用面的需要,耐压如能大于45v更好;ac 12v或24 v输入时简单的桥式整流器输出电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258510.html2011/12/19 10:57:08

lED照明不可忽视的技术细节

具对低压驱动芯片的要求:  1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足dc8-40v,以覆盖应用面的需要,耐压如能大于45v更好;ac 12v或24 v输入时简单的桥式整流器输出电

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261555.html2012/1/8 21:49:48

lED照明不可忽视的技术细节

具对低压驱动芯片的要求:  1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足dc8-40v,以覆盖应用面的需要,耐压如能大于45v更好;ac 12v或24 v输入时简单的桥式整流器输出电

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262729.html2012/1/29 0:41:03

中国lED封装技术与国外的差异

一、概述  lED产业链总体分为上、中、下游,分别是lED外延芯片、lED封装及lED应用。作为lED产业链中承上启下的lED封装,在整个产业链中起着无可比拟的重要作用。基于le

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/5/277762.html2012/6/5 15:39:51

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