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述结构的led芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统led的1/6左右，封装后的led施加2w的电力时，led芯片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261358.html2012/1/8 20:21:39
易成本低廉；大家集思广益，都能开发出不同类型的封装形式；整合恒流技术与配光参数后的功率led基础上设计产品；有效的应对日新月异、千变万化的led灯具需要；电源部分，只采用现有传统开
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261355.html2012/1/8 20:20:43
装形式；整合恒流技术与配光参数后的功率led基础上设计产品；有效的应对日新月异、千变万化的led灯具需要；电源部分，只采用现有传统开关恒压电源供电；提高产品投放速度，灯具设计简便实
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40
始工作后，led电流经采样后加到mcu内置比较器端口，和参考值进行比较，产生中断信号，来调整pwm的占空比，其变化过程见图4,如当电流大于参考值时，降低占空比；反之，提高占空比，最
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261350.html2012/1/8 20:20:32
不一样，质量档次高的led抗静电能力要强一些。 要注意温度的升高会使led内阻变小 当外界环境温度升高后，led光源内阻会减小，若使用稳压电源供电会造成led工作电流升高，当超
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261340.html2012/1/8 20:19:42
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长gan基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
次热平衡后测得的电压为30v，电压差为3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261337.html2012/1/8 20:19:24
泡是纯电阻负载，没有功率因数补偿的问题。上世纪50年代后，日光灯迅速普及成了主要的照明灯具，镇流器用的是硅钢片电感，可靠性高，寿命长，至今仍有少量采用的，大多数没有什么功率因数补
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261336.html2012/1/8 20:19:23
段，真八段，16段，16段，32段，48段等； 按控制方法分为： 内控和外控；内控led护栏管是将所需的程序直接写入led护栏管的工作ic芯片内，接通电源后能直接跑出花型；外
http://blog.alighting.cn/isbelle/archive/2012/1/7/261319.html2012/1/7 23:36:25
热。pauldecloedt说，led远光灯和前光灯的主要瓶颈在于热管理。led发热后不仅亮度会降低，而更重要的是，其使用寿命可能会大幅缩短。 tonyarmstrong为汽车制造商算了一笔led前
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/1/6/261290.html2012/1/6 21:57:48
