站内搜索
v z-fet?碳化硅mosfet器件和三款z-rec?碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
射率材料由镀金硅柱阵列嵌入聚合物基阵构成，没有相推进，会产生静止相态，其波长可以看作是无限
https://www.alighting.cn/pingce/20151125/134464.htm2015/11/25 10:34:22
型也不断的替换中 ～没有最好的电源 只有合适的电源～ 一直是我們設計的的基準 也希望和大家一起对产业的进步做出努
http://blog.alighting.cn/pengxihe/2015/12/31 16:56:09
本文提出了一种基于mems的led芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对led的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11
此项目为加拿大的圣劳伦斯教堂，由芬兰赫尔辛基的avanto architects建筑事务所设计。不同于一些教堂华丽辉煌的灯光设计，chapel of st.lawrence的灯
https://www.alighting.cn/case/2013/1/14/1173_76.htm2013/1/14 11:07:03
摘要：结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低，导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近，mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
csa落实2010年10月14日中华人民共和国科学技术部曹健林副部长和肯尼亚共和国高等教育与科学技术部基莱米?穆维利亚副部长签订的《关于建设中肯半导体照明示范工程的谅解备忘
https://www.alighting.cn/news/2011921/n384534580.htm2011/9/21 9:08:40
目占据了整个场地，从远处看，建筑是巩固着地基的一个整体元素，高墙围筑的堡垒防护着破坏行为，并使个人隐私得以最大
https://www.alighting.cn/case/20150330/40639.htm2015/3/30 10:15:16
利用pld方法沉积了si基zno薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，zno薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
