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托克斯位移会造成白光led的效率低于单色led的效率。不过对于大多数照明应用而言，宁愿选用高cri而效率略低的led灯。 提高光效还可以从提高有效光线的比例入手。薄膜芯片技术能
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/3/23/269246.html2012/3/23 13:29:01
括芯片结构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进，led 在光效方面实现了巨大突破。薄膜芯片技术是超亮 led芯片生产中的核心技术，能够减少各侧面的光输出损耗，并能借
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33
电转换效率最高，实验室转换效率达24%以上，工业规模生产的单晶硅太阳能电池效率达到18%以上。薄膜太阳能电池近年来得到了很大的发展，多晶硅}晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池等新型太阳能电
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
用led荧光粉薄膜或膜片，薄膜和膜片可以规模化生产，一致性好，led灯都是多芯片封装，发出的光互相混合，经过荧光粉膜或膜片转换为白光，其色差可以消除。对薄膜和膜片的要求是： 1，
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106989.html2010/10/15 15:48:00
以单晶硅太阳能电池的光电转换效率最高，实验室转换效率达24%以上，工业规模生产的单晶硅太阳能电池效率达到18%以上。薄膜太阳能电池近年来得到了很大的发展，多晶硅 }晶硅/微晶硅薄膜太
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
式、直线频率式及对数式等 应用：电子仪器，广播电视设备等 11）名称：薄膜介质可变电容器 可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广
http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111466.html2010/11/2 11:51:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179997.html2011/5/20 22:41:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
