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中心优秀论文在icept2013上发表

牌会议之一。今年选址在大连意义非凡。早在2007年,大连已正式提出集成电路产业发展“5111”计划,力争到2015年末,半导体与集成电路产业成为大连市“十二五”期间千亿元规模产业集

  http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/9/325551.html2013/9/9 14:13:01

为降gan-on-si生产成本 veeco与imec联姻

比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化(gan-on-si)功率器件和led的成本。

  https://www.alighting.cn/news/201395/n889255853.htm2013/9/5 10:57:38

imec与veeco合作可降低gan-on-si生产成本项目

比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化(gan-on-si)功率器件和led的成本。

  https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43

反射型自镇流led灯性能要求

、局部照明或定位照明用的、把稳定燃点部件集成为一体的led

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/4/14323_39.htm2013/9/4 14:03:23

2013年度“华芯邦”杯优质供应商评选盛大开幕

随着集成电路“十二五”规划、战略性新兴产业发展规划等一系列重大利好政策的相继推出,国内集成电路产业发展将是值得期待的。集成电路技术和产业将渗透到工业生产、社会生活以及国防安全和信

  https://www.alighting.cn/news/20130904/108737.htm2013/9/4 11:22:30

德国azzurro推出1-bin波长的led晶圆

功表明azzurro的技术有能力做出‘1 bin’硅基氮化led晶

  https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19

不同的led驱动在不同应用中的区别

led是一款典型的电流驱动型器件,精准控制led驱动电流,可决定包括光效率、电源效率、散热和产品亮度等在内的许多参数。驱动led主要在于控制它的电流。

  https://www.alighting.cn/2013/8/29 13:25:25

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

简析led封装的未来发展趋势

文章从多个方面简析了led封装的未来发展趋势,仅供参考。

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125382.htm2013/8/23 16:34:19

硅基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

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