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三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(GaN)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
昀丰新能源旗下独立自主研发的iss系列蓝宝石晶体长晶炉(单晶炉)，攻克了传统工艺中长晶过程对人工过分依赖的技术难点，实现了晶体的自动化生长。结合能够达到业内最高精度要求的高精度电
https://www.alighting.cn/news/20111010/114696.htm2011/10/10 9:29:24
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
德州仪器(ti)(纽约证券交易所代码：txn)近日宣布推出一款具有业界最佳抖动性能的高度集成的时钟发生器。lmk03806可以帮助设计人员运用一个低成本晶体合成所需的时钟频率，从
https://www.alighting.cn/news/20111009/114911.htm2011/10/9 9:37:15
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
这些灯具的结构基本相同，就是led光源由led晶体封装在一个热沉上，led照明灯发光面由树脂透镜封装保护并做好发光角度，几十、上百颗这样的光源被安装到一个印刷线路铝基板上，铝基板
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/7/243277.html2011/10/7 11:51:57
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
近日， 湖北菲利华石英玻璃股份有限公司 a股ipo计划“曝光”，其拟在创业板上市，目前正接受中银国际证券的辅导。同时，该公司还正式进入了led蓝宝石晶体产业。2011年4月签
https://www.alighting.cn/news/20110926/114540.htm2011/9/26 11:34:41
nsi50350a ccr加入自偏置晶体管(sbt)技术，在宽电压范围内稳流。其设计带有内置led驱动器，提供负温度系数(ntc)特性，在极端电压及电流条件下保护led免受热失
https://www.alighting.cn/news/20110926/114821.htm2011/9/26 10:44:01
