美rubicon technology公司6英寸蓝宝石晶圆销量达20万个

  https://www.alighting.cn/news/20111102/114493.htm2011/11/2 9:50:59

探秘：硅上氮化镓(GaN)led

硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

揭开led最鲜为人知的秘密

导读： 　　效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02

英飞凌300mm口径硅晶圆的功率半导体元件初期生产成功

目前功率元件中使用的硅晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示，“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20

  https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46

全球GaN基高亮度led核心专利分析

调查显示，nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性

  https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29

高亮度白光led技术发展现状及趋势分析

到目前为止，白光led还只能够使用在相当小的范围。因为像5mm的小型白光led，无法像电灯泡或者萤光灯那样，只用一个就能得到使用环境所需的光量。因此如果希望led能够跨足到建筑照明

  https://www.alighting.cn/news/20111026/89839.htm2011/10/26 8:49:36

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底GaN基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29