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芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

日出光兴业与美udc扩大oled合作范围

据悉,日本出光兴业将与美国universal display corporation(udc)就oled材料开发扩大合作范围。

  https://www.alighting.cn/news/20071218/107939.htm2007/12/18 0:00:00

简析led照明中散热材料

led 发展的这几年,可谓是材料更新很快。这里面有led封装材料,led散热材料,led导热材料等等。我这里想简单谈一下散热材料的简析,希望可以起到抛砖引玉的效果。led照明初

  http://blog.alighting.cn/lightide/archive/2011/1/31/129591.html2011/1/31 20:29:00

北京大学张国义教授:《GaN同质外延和竖直结构大功率led》

光粉的白光发光二极管研究》的报告,通过例举学术界的多项研究,向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介

  https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05

光催化功能的光半导体材料

光触媒是一类以二氧化钛为代表的具有光催化功能的光半导体材料的总称。这种材料在光的照射下可产生游离电子及空穴,因而具有很强的光氧化还原功能

  https://www.alighting.cn/news/200729/V4766.htm2007/2/9 14:03:59

柯达绿光掺杂材料提升oled性能

美国柯达公司介绍了命名为ek-gd403的新oled材料,它是利用绿光掺杂技术实现了高水平的oled显示性能和可靠性。绿光掺杂材料时对光输出进行控制从而提升性能。

  https://www.alighting.cn/news/20081029/106122.htm2008/10/29 0:00:00

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