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中心优秀论文在icept2013上发表

a SMD led leadframe cup”。文中主要介绍了SMD led中硅胶与支架粘接力的测试表征，提出了相关文献资料也鲜有发表的新的测试方法。另，仿真分析工程师钟达亮在论

http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/9/325551.html2013/9/9 14:13:01

东贝接获国际大厂订单，扩建扬州工厂产能

厂SMD月产能可达1.5亿颗，将是去年度产能规模的2倍水平。同时，因为接获国际客户新订单，2008年年底该厂产能即可达到满载状态，且第二季度单月营收就将上看4亿元，创单月历史新

https://www.alighting.cn/news/20080403/118844.htm2008/4/3 0:00:00

周智明推荐江西晶瑞光电参与2015阿拉丁神灯奖评选

品，采用了全球领先的硅基垂直结构led芯片和倒装led芯片，结合公司先进的封装技术，严格执行欧美国家老化测试标准，具有高亮度、高可靠性、低热阻、耐大电流等优点，适用于路灯、隧道灯

http://blog.alighting.cn/zhouzhiming/archive/2015/1/21/364866.html2015/1/21 14:21:44

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

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