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mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

蓝宝石衬底上gan/al_xga_(1-x)n超晶格插入层对al_xga_(1-x)n外延薄膜应变及缺陷密度的影响

n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01

60co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究

通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特

  https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26

蓝宝石/氮化铝衬底上sic外延薄膜的x射线衍射分析

介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12

amoled产业前景分析及投资机会报告

amoled 是替代tft-lcd 的最佳显示技术:oled(有机发光二极管)采用的是通过电流刺激发光材料主动发光获得显示效果的新型平面显示技术;其中制程相对较简单的pmole

  https://www.alighting.cn/resource/20110629/127484.htm2011/6/29 18:06:59

2011年5月份led行业分析报告

及封装环节。其中的心设备有蓝宝石单晶炉、mocvd(金属有机化合物化学气相沉积设备)等。键的原材料包括高纯氧化铝粉料、金属有机化合物材料、蓝宝石衬底

  https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17

生长温度对ingan/gan多量子阱led光学特性的影响

利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

为什么要用单晶硅做芯片衬底

硅是集成电路产业的基础,半导体材料中98%是硅,半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅(直拉和区熔)、外延片和非晶硅等,其中,直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17

大功率led封装技术及发展趋势

led封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。经过40多年的发展,led封装先后经历了支架式、贴片式、功率型led等发展阶段。随

  https://www.alighting.cn/resource/20110322/127859.htm2011/3/22 16:38:35

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